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  • 漏源(yuán)电压(yā)BV DSS (V)(Min.):

    550

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    170

    导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.):

    190

    最大漏极电流Id(on)(A):

    20

    通道极性:

    N沟道

    封装/温度(℃):

    TO-220F-3L/-55~125

    描述:

    550V,190mΩ,20A,N沟道基(jī)于超级(jí)结技术的功率MOSFET


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