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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    280

    最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    15

    驱动电压(V)：

    10

    通（tōng）道极性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封装/温度(℃)：

    TO-220-3L/-55~125

    描述：

    650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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